好电影在线看最热影视 https://www.haody.org 据韩国《中央日报》,三星电子将在6月30日左右正式发布其3纳米芯片量产消息。三星电子此前公布计划,将在今年上半年量产基于全环绕栅极(GAA)技术的3纳米制程产品,2023年推出第二代3纳米产品,2025年量产2纳米产品。 三星称,与现有的FinFET工艺相比,GAA技术将使芯片面积减少45%,同时性能提高30%,功耗降低50%。 今年5月美国总统拜登访韩时参观了三星的平泽工厂,三星向其展示了该公司的3纳米芯片。 (文章来源:界面新闻) 文章来源:界面新闻 |
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2024-04-18
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