场效应晶体管 场效应晶体管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，具有革命性的电子特性，广泛应用于电子设备中。场效应晶体管是一种三端器件，包括栅极、漏极和源极。它的工作原理基于栅极施加的电场控制了漏极和源极之间的电流。场效应晶体管分为三种类型：金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor FET，简称MOSFET）、金属半导体场效应晶体管（Metal-Semiconductor FET，简称MESFET）和绝缘体场效应晶体管（Insulated-Gate FET，简称IGFET）。其中，MOSFET是最常见和应用最广泛的一种。场效应晶体管的优点包括高输入电阻、低功耗、高频率响应和可靠性强。它在数字电路、模拟电路、功率放大器、射频电路等领域都有重要应用。场效应晶体管的发明开启了现代电子技术的新篇章，推动了电子设备的发展和进步。